LP-100U系列（滾塗型）液態感光抗蝕刻内层線路油墨
制程参数及油墨性能技术资料
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项目 |
性能 |
备注 |
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颜色 |
浅蓝色和无色两种 |
颜色可以调整，曝光后有图形显示出来。 |
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粘度 |
10±2PS（94V0粘度计） |
4#粘度杯70±10秒 |
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使用方式 |
适用于水平、垂直型自动涂布机 |
单面涂布机也可以正常使用 |
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稀释 |
用PMA稀释最佳，添加量3-5％。 |
也可以用防白水稀释 |
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烘烤温度（℃） |
水平涂布机：160/150/150/140/120
垂直涂布机：80/85/85/85/85/80 |
是以1.0MM厚度的板为标准，烘烤以表面温度达到80度。 |
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膜厚 |
8-12UM最佳 |
不能低于5UM。 |
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附着力 |
100/100 |
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涂膜硬度 |
干燥后达到2H以上，曝光后达到3H以上 |
可以减少擦花 |
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叠板 |
水平机：0.8以下板可以超过12小时；
垂直机：所有厚度都可以超过12小时。 |
叠板是在涂布出来的板板边无聚油和干燥良好的前提下 |
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涂布后停放时间 |
黄光下最好不要超过12小时 |
正常生产以6-8小时为最佳 |
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曝光 |
酸性蚀刻：能量80-100MJ/C㎡5-7级；
碱性蚀刻：能量100-150 MJ/C㎡7-9级 |
适用于5KW-7KW平行光曝光机 |
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解析度 |
2mil線寬和線距 |
试验数据为1mil線寬和線距 |
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显影 |
濃度-1.0+/-0.2%；溫度-30+/-2℃；
噴壓—上噴-26-30psi, 下噴-20-25psi
停留時間：30-50秒，40-60%顯影點 |
碳酸钠或碳酸钾显影液 |
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蚀刻 |
适用于酸性或碱性蚀刻 |
酸性蚀刻效果最佳 |
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去膜 |
3-5%氫氧化納；溫度55±5℃；剝膜時間：40-60秒。 |
成片状脱膜 |
JiANKE 廣州鍵科電子材料有限公司
電話：020--84838910
傳真：020—84882667 020--84886303 Email:ink.jianke@126.com
地址：廣州市番禺區市橋鎮環城西路232號
LP-100U系列（滾塗型）
液態感光抗蝕刻內層線路油墨
技術資料
1、採用最新紫外線感光技術
2、本產品符合歐美環保標準，不含苯類有毒物質
3、適用于自動水平/垂直塗布機
4、具有優異的抗酸性/鹼性蝕刻性能。
5、LP-100U系列種類介紹
a) LP-100U(適用于水準、垂直、單面塗布機，抗酸性蝕刻)
b) LP-100U1(適用于水準、垂直塗布機，抗酸鹼蝕刻)
c) LP-100U2(適用于水準、垂直、單面塗布機，抗酸鹼蝕刻，加強型)
d) LP-100U3(適用於垂直塗布機，抗酸性蝕刻)
LP-100U系列（滾塗型）
液體感光内层抗蝕刻油墨
簡述： LP-100U感光型油墨適合於滾塗作業,具有極高解像度和解析度，適用於各式PCB線路和圖案之製作。此油墨屬符合環保要求之PCB線路油墨,不含任何有毒物質，是行業同仁綠色夥伴。
使用方式：LP-100U建議使用在內層細線路(水準塗布.及有回流循環系統之垂直塗布)。LP-100U適用於酸性或鹼性蝕刻液。曝光速度快，適用於自動曝光機。
技術特性：
顏色 液態無色（藍色）
粘度 10±2PS（94V0），100±20sec（3#杯）
曝光 50-150mj/cm2
密著性 75/75
解析度 50/50um
硬化膜硬度 3H 以上
蝕刻 酸性或鹼性蝕刻液
環境條件： 建議LP-100U油墨需在100000級無塵室中作業,避免雜質。塗布和烘乾段需在100000級環境中。無塵室溫度需保持在22+/-2℃，濕度需保持在55+/-5%。需在黃光下作業。
制程條件
1、前處理
LP-100U油墨可適用于化學清潔和/或機械刷磨制程，其選擇關鍵在於讓板面清潔和無鉻殘留，以下前處理清潔方式皆已經在其制程上測試完成，而可得到良好的效果。
化學清潔的三步驟：
1、酸性清潔劑（硫酸、草酸）
2、微蝕劑，微蝕速率20—40 microinches
3、酸泡（溶解微蝕液中的鹽類）
機械噴刷：
氧化鋁和浮石粉刷磨制程可適用於LP-100U。酸性清潔劑則用於刷磨前除去板面鉻化物。
水洗：
烘乾前最後一道水洗需為去離子水，以確定板面沒有鹽類殘留。適當的水洗和烘乾可避免水痕殘留於板面上。
2、油墨的應用：
油墨攪拌—需於生產中攪拌
塗布方式—兩面塗布
塗布速度—2.0-5.0m/min
塗布烘烤溫度—75-150℃
塗布厚度（烘乾後）—10+/-2 um
3、烘乾：
LP-100U有非常寬的烘烤範圍。水準塗布機烘烤溫度需達到80-180℃維持60秒以上。其目的為去除溶劑讓表面完全乾燥。烘烤方式為熱風加IR。烘烤後厚度—10+/-2μm。垂直塗布機烘烤溫度80-120℃，時間7-9分鐘，烘烤後膜厚10+/-2um。
4、曝光：
-非平行光曝光機- 5-7kw
-解析度能力 線寬和線距 -2mil
-最低曝光強度 -10mw/cm2
-建議曝光強度 >20mw/cm2。
-能量約 50-100mj/cm2
-保持在6-8格蓋膜。（抗鹼性蝕刻要求7-9格）
-使用21格之能量格膠片
5、水溶性顯影：
一般標準連續式噴淋顯影設備。
顯影：`
碳酸鈉或碳酸鉀濃度 Na2CO3 or K2CO3 -1.0+/-0.2%。
溫度-30+/-2℃
噴壓
上噴-26-30psi,下噴-20-25psi。
停留時間30-60sec，顯影點40-60%
PH﹥10.7
水洗：
水洗停留時間最好為顯影時間的1或1.5倍或是40秒以上.
水洗壓力-25-30psi
水洗溫度：22+/-2℃
烘乾：
烘乾溫度：50+/-2℃(備註：如果板子直接進入蝕刻槽則不需要烘乾)
6、蝕刻：
酸性蝕刻條件：
氧化還原電位 ORP-530mv+/-10mv
溫度-50+/-2℃
銅離子含量-150g/l+/-10g/l
HCL濃度-2.5+/-0.5N
噴壓-20-30psi,
鹼性蝕刻條件：
PH-8.2-8.8
溫度-50+/-2℃
銅離子含量-150-180g/L
比重-1.2-1.225
噴壓-20-30psi
7、剝膜：
剝膜條件：
氫氧化納NaOH 5-8%
溫度55±3℃
噴壓-30-40psi,
剝膜時間：60-80秒
發泡形成:適量的消泡劑或許需要
過濾:建議必須加裝。
使用說明/注意事項
1、 滾塗
1）滾塗與烘烤條件
1．1滾塗膜厚與油墨及操作條件有關，建議乾燥後膜厚為8-12um，統計資料表明：當膜厚控制在8-12 um的時候，1公斤油墨可塗布的面積為150-160平方尺。其影響膜厚和塗布面積的因素有：
油墨粘度越高，塗膜厚度越厚。塗布面積越少。
塗布滾輪間隙越大，塗膜厚度越厚。塗布面積越少。
油槽間隙越大，塗膜厚度越厚。塗布面積越少。
塗布輪轉速越快，塗膜厚度越厚。塗布面積越少。
1．2設定適當的稀釋劑自動添加頻率與每次添加量使油墨粘度恒維 持在適當粘度及塗膜厚度範圍。
1．3適用于自動水準或垂直式自動線滾塗機及手動單面滾塗機，烘烤溫度與時間以使板溫度到達80-180℃維持至少60秒以上，然後進行必要之冷卻。
1.4乾燥條件可依膜厚及烤箱狀況做適當調整。
乾燥過度會引起顯影不潔留下殘渣（SCUM），乾燥不足塗膜呈感壓粘性，曝光時底片易粘油墨，顯像時也會導致部份被洗除，無法進行抗蝕刻。
2）注意事項
2．1塗布室必須保持乾淨，否則灰塵等會造成線路不良與困擾。
2．2塗布作業必須在黃色燈光照明室內。
2．3罐內有未倒盡油墨時，請隨時蓋好罐蓋以防止粘度增高。
2．4自動線滾塗機操作中因故停機或其他原因造成油墨槽粘度上升時請進行必要之稀釋，調整粘度或作粘度控制時，請用本公司指定的專用稀釋劑（PMA）。
2、烘烤
1）以板面實際溫度達到80-180℃，60秒以上。
2）注意事項
2．1乾燥條件可依膜厚及烤箱狀況做適當之調整，以上條件僅供參考。
2．2乾燥過度會導致後續顯影時留下殘渣。
2．3乾燥不足塗膜呈粘性，曝光時底片易粘油墨，顯像時會部分被洗除，導致後續蝕刻時無法抗住蝕刻。
3、曝光
曝光尺格數
8.5
8
7.5
7
6.5 烘烤溫度100℃
6 曝光能量80mj/cm2
5.5
5
4.5
4
3.5
曝光尺格數
min
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
烘烤時間
1）曝光能量：50-100mj/cm2
（乾燥後膜厚8-12um）
2）曝光格數： 21階測試：6-8格蓋膜（格數高低因顯影條件而異，抗鹼性蝕刻為7-9格蓋膜）。
3）注意事項：
3.1測光能量分佈均勻度，最好以UV能量計測試9點，均勻度達80%以上
3．2光能量不足時，在顯影與蝕刻制程上容易造成膜脫落現象或解析度不良
3. 3曝光量過大，抗蝕刻效果越好，但易產生曝光不良，同時去墨也較慢。
4、顯影
um
1．0
～ 0．8
0．6
Na2CO3 28～32℃（溫度）
0．4 1.0-2.0kg/cm2
顯影膜厚
um
%
0．4 0.6 0.8 1.0
WT%(含量百分比)
曝光尺格數
12
11
10
9 烘烤溫度100℃
8 曝光能量80mj/cm2
7
6
5
4
SEC
20 30 40 50 60 70 80 90 100 110
曝光尺格數 (显影时间)
1、顯影液濃度過高或過低，均會影響顯影速率。因此濃度必須控制在適當範圍內，標準濃度1%，控制範圍為0.8%～1.2%
2、顯影時間太長或顯影溫度過高，均會破壞皮膜表面、硬度及耐化性。因此時間與溫度亦必須控制在適當條件，顯影時間須視顯影點而定，塗膜越厚，顯影時間越長，一般條件顯影時間為45秒以內
3、溫度28～32℃，噴壓1.0-2.0 kg/cm2 請參閱上圖。
5、去墨
（SEC）去墨時間
SEC
80
（UV能量與去墨時間）
60
10um NaOH 5wt%
40 50℃ SPRAY(噴壓) 2.0kg/cm2
mj/cm2
50 80 110
mj/cm2(UV曝光能量)
（SEC）去墨時間
SEC
NaOH
100 （片碱含量與去墨時間）
80
(膜厚) 8um
60 （温度）50℃
（噴壓）2.0kg/cm2
40
2 3 4 5
片碱含量百分比wt%
1、藥液溫度越高去墨越快，最好設定在至少50℃
2、塗膜越厚或曝光能量越高，去墨時間需越長。
3、噴壓最好維持在2.0kg/cm2以上。
4、NaOH濃度一般維護在5-8%。
制程間放置等候時間
制程 等候時間
1、塗布後到顯像時間最好不要超過12小時。
2、未顯影前塗膜硬度只有2H，操作或搬運時要小心，避免刮傷塗膜。
3、顯影後塗膜雖有3H以上，但推放板子仍應小心塗膜被刮傷，造成蝕穿銅面或開路。
4、作業場所應避免潮濕，塗膜完成後，儘量在12小時內曝光顯影。
儲存δ搬運：
請帶塑膠手套和安全眼罩，以避免直接和皮膚和眼睛接觸。
儲存溫度在20-22℃可維持6個月。
請勿直接曝曬在陽光下。避免混到胺類、氧化劑、酸和鹼性物質
請勿重複使用空桶。
廢棄物處理： 請參考當地政府法令辦理。
下列步驟為一般廢棄物處理流程：
. 用10-20%硫酸調整顯影和剝膜液,至PH值=2.4
. 攪拌直到分散。
. 靜止2-4小時
. 過濾後廢水排放至廢水處理池
. 焚化其沉澱物後掩埋
以上參數僅供參考。在使用中，因應條件不同需作相應的調整。
LP100U (Rolling Printing)
Liquid Photoimageable Covercoat for Inner Layer
Data Sheet
1、
Up to date UV Photoimageable technology
2、
European & US Environment Requirement compliant without benzene
3、
Suitable to auto horizontal & vertical printing machine
4、
Excellent resistance to acid/alkali
5、
LP-100U Introduction
a)
LP-100U suitable to horizontal, vertical & one-side machine, acid resistant
b)
LP-100U1 suitable to horizontal, vertical machine, acid resistant
c)
LP-100U2 suitable to horizontal, vertical & one-side machine, acid or resistant, fortified
d)
LP-100U3 suitable to vertical machine, acid resistant
LP100U (Rolling Printing)
Liquid Photoimageable Ink for Inner Layer
Introduction: LP-100U is the rolling printing type of high resolution for PCB pattern meeting environment requirement.
Instruction for use: LP-100U is recommended to be used for fine circuit of the inner layer(horizontal coating and vertical coating with circulation).LP-100U is suitable to acid or alkaline etch chemistry by exposed in short time on the auto exposure machine.
Specific Properties
Color liquid: colorless (Blue)
Viscosity 10±2PS（94V0），100±20sec（No.3 cup）
Exposure 50-150mj/cm2
Density 75/75
Resolution 50/50um
Hardness 3H or more
Etch chemical Acid or Alkaline
Operation conditions: Recommend to work in the 100K clean room, coating and drying. The temperature is at 22+/-2℃ and HR55+/-5%. Always under the yellow illumination.
Work instruction：
1、cleaning ：
LP-100U may be cleaned with Chemical cleaner or by mechanical scrubbing. Either cleaning way is applied depending on adhesive remaining on PCB. The cleaning process followed has been tested with excellent result.
Chemical cleaning in 3 steps
1、Acid cleaner(sulphuric or oxalic acid)
2、20—40 microinch
Etch chemical, etch rate 20-40 microinch
3、acid rinse(to solve salt in etch chemical)
Spraying：
Alumina and pumice scrubbing is suitable LP-100U.Acid cleaning is for chromized material removed before scrubbing.
Water rinse：
Cleaning with DI water before drying to make sure no salt remained on PCB. Stain can be eliminated with proper water rinse and drying.
2、Work instruction for ink：
mixing thoroughly during work
coating on 2 sides
coating rate —2.0-5.0m/min
curing temperature—75-150℃
coating thickness after drying—10+/-2 um
3、Drying：
LP-100U can be cure with wide range of temperature. Keep more than 60 sec at 80-180℃ on the horizontal coating machine for solvent vaporization and drying. Cure with hot air pulsing IR. The thickness is 10+/-2um after curing. Keep 7-9 minutes 80-120℃ on the vertical coating machine to attain the 10+/-2um thick after curing
4、Exposure：
- Parallel light exposure machine - 5-7kw
- Resolution(trace width/space) -2mil
- Min exposure intensive -10mw/cm2
- Recommend exposure intensive >20mw/cm2。
- Exposure energy approximately 50-100mj/cm2
-Stouffer Step- from 6 to 8。（7-9 for alkaline resistance）
- Stouffer Step 21 to be used
5、Water solvent developing：
一Typical continuous spraying developing machine
`Developing：
Na2CO3 or K2CO3 concentration -1.0+/-0.2%。
Temperature -30+/-2℃
Nozzle pressure
Upper nozzle-26-30psi, lower nozzle-20-25psi。
Dwell time 30-60sec， Break point 40-60%
PH﹥10.7
Water rinse：
Water rinse as 1 or 1.5 times as developing or more than 40 sec
Water rinse pressure 25-30psi
Water rinse temperature 22+/-2℃
Drying：
Drying temperature: 50+/-2℃(No drying if PCB entering etch chamber directly)
6、Etching：
Acid etching conditions
Oxidization reduction potential ORP-530mv+/-10mv
Temperature -50+/-2℃
Copper ion concentration -150g/l+/-10g/l
HCL concentration -2.5+/-0.5N
Spraying pressure-20-30psi,
Alkaline etch conditions：
PH-8.2-8.8
Temperature -50+/-2℃
Copper ion comcentrate-150-180g/L
Density-1.2-1.225
Spraying pressure-20-30psi
7、Stripping：
Stripping conditions：
NaOH 5-8%
Temperature 55±3℃
Spraying pressure-30-40psi,
Dwelling time：60-80S
Bubble formation: Proper bubble eliminate agent maybe needed
Filtering: necessary。
Note
1. Rolling coating
1)Rolling coating conditions
1.1Rolling coat thickness is related to the working conditions. It is recommended that the thickness is 8-12um.The statistics is showed 1kg ink covering 150-160 square feet with 8-12um thick. The coat thickness is affected as follows
The higher viscosity, the thicker coat, the less coating area
The larger clearance between rollers, the thicker coat, the less coating area
The larger ink tank clearance, the thicker coat, the less coating area.
The faster rolling speed, the thicker coat, the less coating area
1.2 Set up the proper frequency for automatic dilution adding system to stabilize the viscosity for required thickness range
1.3 Drying at 80-180℃ at least 60sec and cooling on the automatic horizontal, vertical or manual one side rolling coating machine.
1.4 Optimize the drying conditions according to coating thickness and oven.
Over drying will result in residue(SCUM). Under drying will result ink transferred to film during exposure and ink removed during developing. Etch resistance will fail due to either under or over drying.
2）Note
2．1
Work in the clean room to avoid circuit failure
2．2
Always work under yellow illumination
3．3
Keep the ink sealed to avoid higher viscosity, if it is not used up
2．4
The dilution is necessary if there is higher viscosity happen, because of the machine down or other accidents. Always use our thinner (PMA) for dilution.
2、Baking
1）Temperature at PCB surface: 80-180℃，more than 60sec 2）Note
2．1
The above baking condition is just for your information. Attain the baking conditions according to coat thickness and oven particularly.
2．2
Over baking will cause residue during developing next.
2．3
Under baking will cause ink transferred to film during exposure and ink removed during developing. Etch resistance will fail due to either under or over baking.
3、Exposure
STOUFFER STEP
8.5
8
7.5
7
6.5 BAKING TEMPERATURE 100℃
6 EXPOSURE ENERGY 80mj/cm2
5.5
5
4.5
4
3.5
STOUFFER STEP min
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
TIME FOR BAKING
1）EXPOSURE ENERGY：50-100mj/cm2
（coating thickness after drying 8-12um）
2）Stouffer Step depends on the developing conditions. Step 7-9 for alkaline resistance。
3）Note
3.1
Detect 9 points for exposure intensive uniform with UV energy meter. The uniform should not be less than 80%.
3．2
Not enough exposure energy will cause coating off or insufficient resolution.
3. 3
Over exposure energy will cause exposure defect and longer stripping time, though it can attain better etch resistance.
4、（DEVELOPMENT）
um
1．0
0．8
0．6
Na2CO3 TEMPERATURE28～32℃
0．4 SPRAY PRESSURE1.0-2.0kg/cm2
DEVELOPMENT
THICKNESS
um 0．4 0.6 0.8 1.0
%
Na2CO3ONCENTRATION WT%
STOUFFER STEP
12
11
10
9 BAKING TEMPERATURE 100℃
8 EXPOSURE ENERGY 80mj/cm2
7
6
5
4
SEC
STOUFFER STEP 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110
DEVELOPMENT TIME
1、
The developing rate will be affected by either thicker or thinner of developing solution. The concentration should be controlled properly. The standard value is 1% ranging from 0.8% to 1.2%.
2、 The coating surface will be damaged if the developing is too long or temperature too high. The developing time and temperature should be controlled properly. The developing time depends on the breaking point. The thicker the coating, the longer the developing time. The typical value is not more than 45sec.
3、Temperature 28～32℃ spraying pressure 1.0-2.0 kg/cm2 r refer to the above chart.
5、（STRIPPING）
&nbs, p; STRIPPING TIME（SEC）
SEC
80 UV INTEGRTOR AND STRIPPING TIME
60
&n, b, sp; THICKNESS 10um NaOH 5wt%
40 TEMPERATURE 50℃ SPRAY 2.0kg/cm2
&nbs, p; mj/cm2
50 80 110
EXPOSURE UV INTEGRATOR mj/cm2
STRIPPING TIME（SEC）
SEC
NaOH CONCENTRATION AND STRIPPING TIME
100
80
THICKNESS 8um
60 TEMOERATURE 50℃
SPRAY2.0kg/cm2
40
2 3 4 5
NaOH CONCENTRATION wt%
1、The higher stripping solution temperature, the faster the stripping rate
Recommend at least 50℃
2、The thicker the coat or the stronger the exposure energy, the longer the stripping time.
3、Spraying pressure not less than 2.0kg/cm2
4、NaOH concentration 5-8%
Stand time between Processes
Process Stand time
Rolling printing and curing
|
within 12hrs under yellow illumination |
within 12hrs under yellow illumination |
1、Develop within 12 hours after rolling printing
2 Hardness 2H before developing, handling with care to avoid scratch.
3、Hardness 3H after developing, pick and place carefully to avoid circuit etched off and open.
4、Work in the dry room. Developing and etching within 12 hours after rolling printing as much as possible.
Storage and Transportation：
Rubber gloves and goggle should be worn to protect eyes and skin from contacting.
Shelf life 6 months at 20-22℃
Do not exposure to the direct sunlight. Do not put together with amic, oxidizer, acid or alkaline material.
The container can not be re-used.
Waste Disposal
Comply with the local regulations
Typical process as follows
. Add 10-20% sulfuric acid to the developing and stripping solution to PH 2-4
. Agitate until solid material apart
. Stand for 2-4 hours
.Filter and pour the waste water to treatment tank
.Burn up and bury the sediment in proper
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G-30液态感光阻焊油墨
产品类别:LP-100U液态感光内层线路油墨 -